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139 Micrones Silicio amorfo A Si Para diversos campos como DR Pruebas no destructivas

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MOQ
139 Micrones Silicio amorfo A Si Para diversos campos como DR Pruebas no destructivas
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Caracteristicas
Especificaciones
El material: sensor de silicio amorfo
Temperatura: 10-35°C (funcionamiento); 10~50°C (almacenamiento)
humedad: RH de 30 a 70% (sin condensación)
Nombre del producto: Detector digital de panel plano
Tipo de receptor: Uno-Si
centelleador: Los Estados miembros / CSI:TI
Área activa: Cubiertas y cubiertas
Pitch de los píxeles: 139 μm
Resaltar:

139 micrones A Si

,

Silicio amorfo A Si

,

D.R.A. Si

Información básica
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: HUATEC
Certificación: CE ISO GOST
Número de modelo: H3543HWC-CE
Pago y Envío Términos
Detalles de empaquetado: Paquete de cartón estándar de exportación
Descripción de producto

139 micrones Silicio amorfo A-Si Para diversos campos como DR y pruebas no destructivas

 

El H3543HWC-EG es un detector inalámbrico ligero basado en silicio amorfo ((a-Si), que es adecuado para diversos campos como la prueba DR y la prueba no destructiva.

 

Sensor de la misma
Receptor tipo a-Si

Los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos de los datos.

Área activa 350 x 430 mm

Resolución 2560 x 3072

Pitch de los píxeles 139 μm

 

Suministro de energía y batería

Adaptador en AC 100-240V,50-60Hz

Adaptador de salida DC 24V,2.7A

Disposición de energía < 20 W

Tiempo de espera 6,5 h

Tiempo de recarga 4,5 h

 

Calidad de imagen
Resolución límite 5 LP/mm

Rango de energía 40-160 KV

Rango dinámico ≥ 76 dB

Sensibilidad ≥ 0,36 LSB/nGy

Ghos < 1% 1er cuadro

DQE 38% @(1 LP/mm)

El porcentaje es de 21% @(2 LP/mm)

El MTF es de 75% @ ((1 LP/mm)

48% @(2 LP/mm)

El porcentaje es de 28% @ ((3 LP/mm)

 

 

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