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75 micrones Silicio amorfo A Si Para diversos campos A Si DR Pruebas no destructivas

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MOQ
75 micrones Silicio amorfo A Si Para diversos campos A Si DR Pruebas no destructivas
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Caracteristicas
Especificaciones
El material: sensor de silicio amorfo
Temperatura: 10-35°C (funcionamiento); 10~50°C (almacenamiento)
humedad: RH de 30 a 70% (sin condensación)
Nombre del producto: Detector digital de panel plano
Tipo de receptor: Uno-Si
centelleador: CSI:TI
Área activa: 230.4 x 172 mm
Pitch de los píxeles: los 75μm
Resolución: 3072 x 2304
Resaltar:

75 micrones de A-Si DR

,

Silicio amorfo A-Si DR

,

Varios campos A-Si DR

Información básica
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: HUATEC
Certificación: CE ISO GOST
Número de modelo: H2317HSC-CG: el contenido de H2317HSC-CG es el mismo que el contenido de H2317HSC-CG.
Pago y Envío Términos
Detalles de empaquetado: Paquete de cartón estándar de exportación
Descripción de producto

75 micrones de silicio amorfo A-Si para diversos campos A-Si DR y pruebas no destructivas

 

H2317HSC-CG Es un detector de panel plano ligero basado en sensores de silicio amorfo, adecuado para la detección de rayos X

 

Sensor de la misma
Receptor tipo a-Si

Las condiciones de las condiciones de ensayo se determinarán en función de las condiciones de ensayo.

Área activa 230,4 x 172 mm

Resolución 3072x 2304

Pitch de los píxeles 75 μm

 

Suministro de energía y batería

Adaptador en AC 100-240V,50-60Hz

Adaptador de salida DC 24V,2.7A

Disposición de energía < 20 W

 

Calidad de imagen
Resolución de limitación 5.9 LP/mm

Rango de energía 40-150 KV

Rango dinámico ≥ 76 dB

Sensibilidad ≥ 0,54 LSB/nGy

Ghos < 1% 1er cuadro

 

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